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반도체

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반도체_웨이퍼 제작법 1.Czochralski method 위 공정은 SiO2의 형태로 있는 모래를 도가니(crucible)에 넣고 가열 후 굳히는데 이때에 Si seed를 담구고 이것을 들어올리면 균일하게 단결정의 Si이 성장하면서 잉곳을 생성하는 방법입니다. 가열 과정에서 도가니가 일부 녹아 불순물로 작용해 고순도의 웨이퍼 공정에 문제가 생기기에 이점이 위 공정의 단점으로 꼽히지만 제조 비용이 비싸지 않아서 상업적으로 굉장히 메리트 있는 공정입니다. 출처:https://www.youtube.com/watch?v=AMgQ1-HdElM ​ ​ 2.Float-zone silicon growth czochralski method 보다 더 고순도의 웨이퍼를 얻을 수 있지만 제조 비용이 비싸기 때문에 꼭 필요한 경우에만 사용하는 방..

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